类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：18V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SODJ（表面贴装）
　　反向漏电流：最大 100nA（在 10V 时）
　　齐纳阻抗：20Ω（最大）
　　最大峰值电流：100mA

S-P4SODJ18A-SH 是一款高性能齐纳二极管，具有出色的电压稳定性和低漏电流特性。其主要特点是能够在反向击穿区域工作，并保持一个相对恒定的电压值。这种二极管非常适合用于电压参考、调节和保护电路，确保系统在各种工作条件下稳定运行。
　　该器件采用 SODJ 封装，体积小、重量轻，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和空间利用率。其封装设计也确保了良好的热管理和机械稳定性，适合高密度电路设计。
　　S-P4SODJ18A-SH 的齐纳电压为 18V，容差为 ±5%，能够提供精确的电压参考。其最大耗散功率为 300mW，可以在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出。此外，其反向漏电流在 10V 时仅为 100nA，降低了在低电压应用中的能量损耗。
　　该齐纳二极管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车电子应用，确保在极端环境下的可靠运行。其齐纳阻抗最大为 20Ω，减少了电压波动的影响，提高了系统的稳定性。

S-P4SODJ18A-SH 主要用于需要电压调节和保护的电子电路中。典型应用包括电源管理电路中的电压参考、电池充电和保护电路中的过压保护、以及接口电路中的静电放电（ESD）保护。该器件的稳定性能和紧凑设计使其成为便携式设备、工业控制系统和汽车电子系统的理想选择。

P4SMAJ18A, 1N4744A