LMSZ4V3T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装硅稳压二极管(Zener Diode),广泛用于电压参考、稳压和电压限制应用。该器件采用 SOD-123 封装,适用于便携式设备和高密度电路设计。LMSZ4V3T1G 的标称齐纳电压为 4.3V,在 IZ 测试电流下具有稳定的电压输出,并提供良好的温度稳定性和低动态阻抗。由于其紧凑的封装和优良的电气特性,该器件常用于电源管理、电池供电设备、信号调节电路以及各种嵌入式系统中。
器件类型:齐纳二极管
标称齐纳电压(VZ):4.3V
测试电流(IZT):5mA
最大齐纳阻抗(ZZ):80Ω
最大反向漏电流(IR):100nA(@ VR=3.44V)
最大耗散功率(PD):200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOD-123
引脚数:2
LMSZ4V3T1G 齐纳二极管具备一系列优良的电气和物理特性,适用于高精度和高稳定性要求的应用场景。
首先,该器件的齐纳电压在标准测试条件下保持在 4.3V,且在工作温度范围内具有良好的稳定性,能够提供可靠的电压参考。其动态阻抗较低,有助于减小电压波动,提高系统稳定性。
其次,LMSZ4V3T1G 采用 SOD-123 表面贴装封装,体积小、重量轻,适用于空间受限的设计,如移动设备和高密度 PCB 布局。此外,该封装有助于提高焊接可靠性和自动化装配效率。
再者,该稳压二极管具有较高的功率耗散能力(最大 200mW),可在一定负载条件下维持稳定工作。其反向漏电流极低(最大 100nA),在低功耗系统中具有较好的节能表现。
另外,LMSZ4V3T1G 的制造工艺确保了良好的批次一致性,适合用于批量生产中的电压参考和稳压应用。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)也使其适用于工业和汽车电子等严苛环境中的应用。
LMSZ4V3T1G 主要用于需要 4.3V 稳定电压参考的各种电子电路中。
典型应用包括电源管理模块中的电压参考源、ADC/DAC 基准电压、电压监测电路、过压保护电路以及电池供电设备中的稳压控制。
在嵌入式系统和便携式电子产品中,该器件可用于为传感器、微控制器和接口电路提供精确的参考电压。
此外,它也常用于模拟电路中作为偏置电压源、电压电平转换器或用于信号调节中的限幅电路。
在工业自动化、通信设备和汽车电子系统中,LMSZ4V3T1G 可用于构建稳定可靠的电压基准,确保系统在不同工作条件下保持稳定运行。
BZX84C4V3, MMSZ4V3T1, 1N4735A, LMSZ5V1T1G