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MDNA50P2200TG 发布时间 时间:2025/8/6 2:25:44 查看 阅读:26

MDNA50P2200TG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高性能、高可靠性 MOSFET 模块,属于功率半导体器件的一种。该模块主要设计用于需要高功率密度和高效率的工业应用,如电源转换、电机控制、可再生能源系统和不间断电源(UPS)等。MDNA50P2200TG 采用了先进的沟道型 MOSFET 技术,具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热管理性能,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

型号: MDNA50P2200TG
  类型: MOSFET 模块
  封装类型: TO-247
  通道类型: P沟道
  漏源电压(Vds): 2200V
  漏极电流(Id): 50A
  导通电阻(Rds(on)): 最大 150mΩ
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  安装类型: 通孔
  封装尺寸: TO-247
  技术: 沟道型 MOSFET

特性

MDNA50P2200TG 模块具备多项先进的电气和热性能特点,适用于高功率应用。其主要特性包括:
  1. **高耐压能力**:该模块的漏源电压(Vds)可达 2200V,适用于高压电源系统和电力电子设备,能够在高电压环境下稳定运行。
  2. **低导通电阻**:最大导通电阻仅为 150mΩ,有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。
  3. **高电流承载能力**:漏极电流(Id)为 50A,适用于需要高电流输出的功率转换应用,如直流-直流转换器和电机驱动器。
  4. **优异的热管理性能**:模块采用 TO-247 封装,具有良好的热传导性能,能够有效散热,确保器件在高温条件下仍能可靠运行。
  5. **高可靠性设计**:基于 Microsemi 的先进制造工艺,MDNA50P2200TG 具备出色的稳定性和长寿命,适用于航空航天、工业控制、通信基础设施等对可靠性要求极高的应用领域。
  6. **宽工作温度范围**:支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围,适应各种严苛环境条件,确保在极端温度下仍能正常工作。
  7. **P 沟道结构**:适用于高边开关应用,常用于负载开关、电源管理等电路中,提供高效的功率控制方案。

应用

MDNA50P2200TG 广泛应用于需要高电压、高电流和高可靠性的电力电子系统中,包括:
  1. **工业电源系统**:如工业级开关电源(SMPS)和高功率直流电源,用于自动化设备、测试设备和大型工业机械。
  2. **电机控制与驱动**:用于高效电机控制和驱动电路,如伺服驱动器、变频器和直流电机控制器。
  3. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器和风能转换系统中的功率转换模块,实现高效能量转换与管理。
  4. **不间断电源(UPS)**:用于 UPS 系统中的功率开关元件,确保在电网故障时能够快速切换电源,维持关键设备的运行。
  5. **电信基础设施**:应用于通信基站、数据中心服务器和网络设备中的电源模块,提供稳定可靠的电力供应。
  6. **电动汽车与充电设备**:用于电动汽车的车载充电器(OBC)和直流快充设备中的功率开关元件,满足高功率充电需求。
  7. **高可靠性应用**:如航空航天、军工设备和医疗设备中的关键电源管理系统,确保在极端环境下的稳定运行。

替代型号

SGM6060、SiHP065NQ08LG、IRF540N、FDMS86101、TPH9R00CQH

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MDNA50P2200TG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格36 : ¥251.51722盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)2200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)50A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.13 V @ 50 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 2200 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商器件封装TO-240AA