LMUN5312DW1T1 时间：2025/8/13 23:40:34 阅读：24

LMUN5312DW1T1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，内部集成了两个独立的NPN晶体管。该器件采用SOT-26（SC-74A）小型封装，适用于需要双晶体管配置的电路设计，例如差分放大器、逻辑电平转换、开关电路、驱动电路等。LMUN5312DW1T1 以其高集成度、节省PCB空间和优良的电气性能广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。

参数

类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-26

特性

LMUN5312DW1T1 具备多项优良的电气和物理特性，使其在双晶体管应用中表现优异。
　　首先，其内部集成了两个独立的NPN晶体管，共享同一封装，不仅节省了印刷电路板（PCB）的空间，也简化了电路布局和布线，提高了设计的灵活性和效率。
　　其次，该器件具有较高的电流增益（hFE），在不同的集电极电流条件下，hFE值可在110至800之间变化，满足不同放大和开关应用的需求。这种宽范围的增益特性使得该器件适用于多样的电路配置。
　　再者，LMUN5312DW1T1 具备100MHz的增益带宽积（fT），支持高频信号的处理和放大，适用于射频（RF）前端电路、高速开关和数字逻辑电路。
　　此外，该器件的集电极-发射极击穿电压为50V，最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的开关和放大电路。最大功耗为300mW，确保在小封装下具备良好的热稳定性。
　　最后，该晶体管阵列的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件下的电子设备，如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

LMUN5312DW1T1 广泛应用于多个电子领域。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它被用于逻辑电平转换、LED驱动、音频放大等电路。在工业控制和自动化系统中，该器件可用于传感器信号调理、继电器驱动和开关控制。此外，在通信设备中，LMUN5312DW1T1 也可用于射频信号放大和数据传输电路。由于其双晶体管结构，该器件特别适用于需要差分放大或推挽输出的电路设计，如运算放大器输入级、数字缓冲器和逻辑门电路。在电源管理模块中，它可作为低侧开关，控制负载的导通与断开。由于其SOT-26小型封装，该器件也适合于高密度PCB布局，广泛应用于消费类电子和便携式设备中。