时间：2025/8/9 16:57:49
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2SK2954-MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高频功率转换应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。其封装形式为SOT-223，适用于表面贴装，适合高密度电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：50W
导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-223
2SK2954-MR 采用先进的沟槽结构设计，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
该器件的SOT-223封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，非常适合用于紧凑型电源模块设计。其引脚排列设计也便于PCB布局，并能有效降低寄生电感的影响。2SK2954-MR 还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，提高了器件在严苛工作环境下的可靠性。
作为一款高性能功率MOSFET，2SK2954-MR 在导通状态下可提供较低的压降，有助于提升系统整体效率，同时在关断状态下具备优异的漏电流抑制能力，从而降低了静态功耗。
2SK2954-MR 常用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及电源管理模块。由于其高效率和高频响应特性，该器件也适用于LED照明驱动电路和小型电源适配器等应用场合。
2SK3084-MR, 2SK3254-MR, IRFZ44N, Si4440DY
