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LMG1020YFFT 发布时间 时间:2025/6/22 11:37:39 查看 阅读:3

LMG1020YFFT 是一款由德州仪器(TI)生产的高效氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)。这款器件基于增强型 GaN 技术,具有出色的开关性能和高功率密度,适用于高频、高效率的电源转换应用。其封装形式为 QFN-8 封装,能够显著减少寄生电感并提高系统效率。
  LMG1020YFFT 的设计目标是满足现代电力电子设备对更高频率、更小尺寸和更高效率的需求,非常适合 AC/DC 和 DC/DC 转换器等应用场景。

参数

额定电压:600V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:35nC
  最大工作结温:175°C
  封装类型:QFN-8

特性

LMG1020YFFT 具有以下主要特性:
  1. 高开关速度:得益于 GaN 材料的优异特性,该器件可以实现非常高的开关频率,从而减小磁性元件和电容器的尺寸。
  2. 低导通电阻:90mΩ 的 Rds(on) 可以在高频下保持较低的传导损耗。
  3. 热性能优越:能够在高达 175°C 的结温下可靠运行,适合高温环境下的应用。
  4. 简化的驱动需求:与传统硅基 MOSFET 相比,该 GaN FET 对驱动电路的要求更低,简化了设计过程。
  5. 更高的功率密度:由于高频和高效率的特性,LMG1020YFFT 可以帮助设计人员实现更高的功率密度。

应用

LMG1020YFFT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 工业电源:如不间断电源 (UPS) 和工业逆变器。
  3. 数据中心供电:用于高效率的服务器电源模块。
  4. 通信电源:支持电信基站和网络设备中的高效电源解决方案。
  5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器和快速充电器。

替代型号

LMG1020YFFTRPBF

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LMG1020YFFT参数

  • 现有数量36现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥45.79000剪切带(CT)250 : ¥31.95892卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置低端
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.75V ~ 5.25V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH1.8V,1.7V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)7A,5A
  • 输入类型反相,非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)375ps,350ps
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UFBGA,DSBGA
  • 供应商器件封装6-DSBGA