时间：2025/6/17 7:03:44
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JSM75N80C是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：JSM75N80C
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压：80V
最大连续漏电流：75A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：460W
结温范围：-55℃至+175℃
JSM75N80C的显著特点包括低导通电阻、快速开关性能以及出色的热稳定性。
1. 低导通电阻（Rds(on)）使其在大电流应用中能大幅减少传导损耗，从而提高效率。
2. 快速开关性能适合高频应用，其极小的输入电容和输出电荷使得开关过程中的能量损失降到最低。
3. 具备强大的热稳定性，可承受高达175℃的结温，适用于恶劣的工作环境。
4. 封装设计优化了散热路径，进一步增强了器件的可靠性。
此外，该器件还具有良好的雪崩能力，能够在异常情况下保护电路不受损坏。
JSM75N80C广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（Switching Power Supply）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 太阳能逆变器
6. 工业控制领域中的负载切换
由于其优异的性能，特别适合需要高效、快速响应的高频开关场景。
JSM70N80C, IRF840, STP75NF08L
