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SI3464DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/19 13:08:51 查看 阅读:3

SI3464DV-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)生产的高效能、低功耗的以太网供电 (PoE) PSE(电源供应设备)控制器芯片。该芯片主要用于管理以太网电缆上的电力传输,同时支持符合 IEEE 802.3af/at 标准的 PoE 应用。它具有高集成度和灵活性,适用于各种网络设备如交换机、路由器和中跨等。

参数

工作电压:4.5V 至 55V
  最大输出功率:30W
  待机电流:小于 20μA
  检测电阻精度:±5%
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSSOP-16

特性

SI3464DV-T1-GE3 芯片具备以下特点:
  1. 支持 IEEE 802.3af 和 IEEE 802.3at 双标准,能够为受电设备提供高达 30W 的功率。
  2. 内置了精确的电流限制功能,可有效保护连接的设备免受过流或短路的影响。
  3. 提供灵活的端口配置,可以适应多种不同的 PoE 应用场景。
  4. 高效的能量传输机制减少了功率损耗,并提升了系统的整体效率。
  5. 内置热关断保护和全面的故障诊断功能,增强了系统的稳定性和可靠性。
  6. 简化的设计流程,减少了外部元件的需求,从而降低了系统成本。
  7. 提供完善的保护机制,包括过压保护、过温保护以及短路保护等功能。
  8. 支持多端口独立控制,适合复杂的多端口网络设备应用。

应用

SI3464DV-T1-GE3 主要应用于以下领域:
  1. 以太网供电交换机。
  2. PoE 中跨设备(Midspan PSE)。
  3. 工业自动化中的网络设备。
  4. IP 摄像头、无线接入点和 VoIP 电话等终端设备的供电解决方案。
  5. 家庭和企业级网络基础设施。
  6. 物联网(IoT)设备的供电与数据传输一体化方案。

替代型号

SI3464DV-T1-GM3
  SI3464DV-T1-GE1
  SI3464DV-T1-GN3

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SI3464DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1065pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3464DV-T1-GE3TR