时间：2025/5/30 22:00:41
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GQM1875C2E150GB12D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高电压、大电流场景中的功率转换和开关控制。该型号属于沟道增强型MOSFET，采用先进的制造工艺以实现更低的导通电阻和更高的效率。
这款器件通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类工业设备中。其封装形式和电气特性使其非常适合需要快速开关和低功耗的应用环境。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：120mΩ
栅极电荷：55nC
输入电容：1200pF
总功耗：200W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GQM1875C2E150GB12D 具有以下显著低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 高耐压能力，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管，减少开关噪声并优化动态性能。
5. 强大的热稳定性，即使在高温条件下也能保持优异的性能表现。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场的法规要求。
这些特性使得该芯片成为高可靠性应用场景的理想选择。
GQM1875C2E150GB12D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器。
5. LED驱动器和高效照明系统。
6. 各类需要高电压、大电流处理能力的电子设备。
凭借其出色的电气特性和可靠性，该芯片在众多行业中得到了广泛应用。
GQM1875C2E150GB12H, IRFP260N, FDP18N75C
