LMBZ10VALT1G 时间：2025/8/13 22:59:26 阅读：15

LMBZ10VALT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的表面贴装型齐纳二极管，主要用于电压调节和稳压应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备良好的稳定性和可靠性，广泛应用于各种电子电路中，如电源管理、信号调节、电压参考等。

参数

齐纳电压（Vz）：10 V
　　齐纳测试电流（Iz）：5 mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：50 mA
　　最大反向漏电流（IR）：100 nA（@ VR=8V）
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　封装类型：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数量：2
　　安装方式：表面贴装（SMT）

特性

LMBZ10VALT1G齐纳二极管具有多项优良特性，适用于多种稳压应用场景。首先，其稳定的10V齐纳电压确保在宽温度范围内保持精确的电压调节能力，适用于需要高精度电压参考的应用。其次，该器件的低反向漏电流（最大100nA）有助于减少电路中的静态功耗，提高整体能效。此外，LMBZ10VALT1G采用紧凑的SOD-523封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上安装，适用于便携式设备和高密度电子系统。其表面贴装设计也简化了自动化生产流程，提高了制造效率。该器件的最大功耗为300mW，能够在轻负载条件下稳定运行，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下正常工作。最后，LMBZ10VALT1G的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用，满足高可靠性要求。

应用

LMBZ10VALT1G齐纳二极管广泛应用于各类电子设备中，作为电压参考或稳压元件使用。例如，在电源管理模块中，它可用于提供稳定的参考电压，以确保电源输出的准确性。在模拟电路中，该器件可用于调节信号电平或作为基准电压源。此外，LMBZ10VALT1G也适用于电池供电设备、电压检测电路、传感器接口电路以及汽车电子系统等对电压稳定性要求较高的场合。