类型：NPN双极晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为100至800，根据不同等级分为多个档位
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小）
　　饱和压降（Vce sat）：最大为0.2V（在Ic=100mA，Ib=5mA条件下）

LMBT9014LT1G具有多项优异的电气和物理特性，使其在众多应用中表现出色。首先，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从100到800不等，满足不同放大需求，同时具备良好的线性度，适合用于模拟信号放大。
　　其次，该器件具有较高的过渡频率（fT）达100MHz，支持高频应用，如射频（RF）信号处理和高速开关电路。
　　此外，LMBT9014LT1G的饱和压降较低（Vce_sat），在开关应用中可降低功耗并提高效率。
　　该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。
　　其工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），适用于工业级环境和高要求的应用场景。
　　最后，LMBT9014LT1G符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对无铅和环保的要求。

LMBT9014LT1G广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **信号放大**：用于音频放大器、运算放大器前级、传感器信号放大电路等；
　　2. **开关电路**：作为低功耗开关元件用于数字逻辑电路、继电器驱动、LED控制等；
　　3. **射频（RF）电路**：利用其高频率特性，应用于射频信号放大和调制解调电路；
　　4. **通信设备**：在无线基站、小型收发模块、调制解调器等设备中作为关键信号处理元件；
　　5. **消费类电子产品**：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的模拟信号处理部分；
　　6. **工业控制**：用于工业自动化系统中的信号调节、接口电路和传感器驱动等；
　　7. **嵌入式系统**：作为通用晶体管用于微控制器外围电路、电源管理和接口扩展等。

MMBT9014LT1G, 2N9014, BC847, 2N3904, PN2222