时间：2023/7/5 11:38:28
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TPS73733QDRBRQ1线性低压降(LDO)稳压器系列在电压跟随器配置中使用了NMOS旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻(ESR)的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用1μF的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS拓扑结构也可实现极低压降。TPS73733QDRBRQ1利用先进的BiCMOS工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于20nA，适用于便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | TPS73733QDRBRQ1 |
| 描述 | IC REG 线性 3.3V 1A 8SON |
| 详细描述 | PMIC-稳压器-线性正固定1输出1A8-SON(3x3) |
| 类别 | 集成电路(IC)PMIC-稳压器-线性 |
| 系列 | 汽车，AEC-Q100 |
| 工作温度 | -40°C~125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8声(3x3) |
| 基本产品编号 | TPS73733 |
TPS73733QDRBRQ1
| 零件状态 | 在售 |
| 输出配置 | 正 |
| 输出类型 | 固定 |
| 稳压器数 | 1 |
| 电压-输入(最大值) | 5.5V |
| 电压-输出(最小值/固定) | 3.3V |
| 电压降(最大值) | 0.5V@1A |
| 电流-输出 | 1A |
| 电流-静态(Iq) | 400μA |
| 电流-供电(最大值) | 1.3mA |
| PSRR | 58dB~37dB(100Hz~10kHz) |
| 控制特性 | 使能 |
| 保护功能 | 过流，超温，反极性 |
| 引脚数 | 8 |
| 压差电压 | 130毫伏 |
| 最大输入电压 | 5.5V |
| 最高工作温度 | 125℃ |
| 最大输出电流 | 1个 |
| 最大输出电压 | 3.3V |
| 最大功耗 | 2.5瓦 |
| 最小电流限制 | 1.05安 |
| 最小输入电压 | 2.2V |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 最小输出电压 | 3.3V |
| 标称输出电压 | 3.3V |
| 输出电压 | 3.3V |
| 输出电压精度 | 1% |
| 包装 | 磁带和卷轴 |
| 极性 | 积极的 |
| 功耗 | 2.5瓦 |
| 静态电流 | 300μA |
| 高度 | 1毫米 |
| 长度 | 3毫米 |
| 厚度 | 880微米 |
| 宽度 | 3毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 不 |
符合汽车类应用要求
具有符合AEC-Q100标准的下列特性：
器件温度等级1：–40°C至125°C环境工作温度范围
器件HBMESD分类等级2
器件CDMESD分类等级C4A
与1μF或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
输入电压范围：2.2V至5.5V
超低压降：1A为130mV(典型值)
即使使用仅为1μF的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
NMOS拓扑可提供低反向漏电流
初始精度为1%
整个线路、负载和温度范围内的精度达3%
关断模式下静态电流小于20nA(典型值)
通过热关断和电流限制实现故障保护
提供了多个输出电压版本
适用于DSP、FPGA、ASIC和微处理器的负载点调节
适用于开关电源的后置稳压
便携式和电池供电类设备
TPS73733QDRBRQ1符号
TPS73733QDRBRQ1脚印
TPS73733QDRBRQ1封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| TPS73633DRBR | 德州仪器 | 稳压芯片 | LDO,1.7V至5.5V,75mV压差,3.3V输出,400mA输出 |
| TPS73633DRBT | 德州仪器 | 稳压芯片 | 无电容，NMOS，400毫安低压差稳压器 |
| TPS73633DRBTG4 | 德州仪器 | 稳压芯片 | 8-SON 400mA 8Pin |
