时间：2025/12/27 8:35:37
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UPG30N60E是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等高功率场合。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的开关特性和导通电阻性能，能够在高电压环境下稳定工作。其额定电压为600V，最大连续漏极电流可达30A，适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。UPG30N60E封装形式通常为TO-220或TO-247，具有良好的热传导性能，有助于在高负载条件下有效散热。此外，该MOSFET内置了快速恢复体二极管，提升了在感性负载应用中的反向恢复能力，降低了开关损耗。由于其优异的电气特性与坚固的封装设计，UPG30N60E被广泛应用于工业控制、消费类电源、照明电源及新能源领域。
该器件的设计符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。同时，它具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。为了确保安全运行，使用时建议配合适当的栅极驱动电路，并注意防止二次击穿现象的发生。总体而言，UPG30N60E是一款性价比高、性能稳定的中大功率MOSFET解决方案，适合多种离线式电源拓扑结构如PFC（功率因数校正）、LLC谐振变换器和半桥/全桥拓扑中使用。
型号：UPG30N60E
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：600V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：30A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：120A
导通电阻(RDS(on))：0.055Ω @ VGS=10V
阈值电压(VGS(th))：2~4V
输入电容(Ciss)：4000pF @ VDS=25V
输出电容(Coss)：100pF @ VDS=25V
反向恢复时间(trr)：45ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220 / TO-247
UPG30N60E具备多项关键特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在主流AC-DC电源系统中能够承受市电整流后的高压直流母线电压，特别适用于220V/230V交流输入环境下的PFC电路和主开关管应用。其次，该MOSFET拥有较低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为55mΩ，在高电流工作状态下显著降低导通损耗，提升整体电源效率。这对于追求高能效等级（如80 PLUS认证）的电源产品至关重要。
该器件采用优化的平面栅结构技术，实现了良好的开关速度与EMI之间的平衡。其输入电容和输出电容经过精心设计，使得在高频开关环境下仍能保持稳定的驱动需求，减少驱动芯片负担。同时，较小的反馈电容（Crss）降低了米勒效应的影响，提高了抗干扰能力和开关稳定性，尤其在硬开关拓扑中表现优异。
另一个重要特性是其内置的快速恢复体二极管，具有较短的反向恢复时间（trr约45ns），有效减少了二极管反向恢复过程中产生的尖峰电压和额外功耗，避免对主开关管造成应力冲击。这在桥式拓扑或同步整流应用中尤为重要，可显著改善系统的电磁兼容性和长期可靠性。
UPG30N60E还具备良好的热稳定性和高温工作能力，结温最高可达150°C，配合合理的散热设计可在满载条件下长时间运行。其封装采用标准TO-220或TO-247形式，便于安装于散热片上，提升热传导效率。此外，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在恶劣工况下依然稳定可靠。
UPG30N60E主要应用于各类中高功率开关电源系统中。在通用AC-DC适配器和服务器电源中，常作为PFC升压开关管使用，利用其高耐压和低导通损耗优势，实现高效的功率因数校正功能，满足能源法规要求。在工业电源设备如焊接机、激光电源和UPS不间断电源中，该MOSFET可用于主变换器的开关元件，支持半桥或全桥拓扑结构，提供稳定的能量转换效率。
在新能源领域，UPG30N60E也广泛用于太阳能微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变模块中，承担直流侧的高频斩波任务。其快速开关能力和良好的热性能有助于提高系统功率密度并延长使用寿命。此外，在电动车辆充电设备（如车载充电机OBC或便携式充电桩）中，该器件可用于初级侧开关，适应宽输入电压范围和频繁启停的工作模式。
在消费类电子产品方面，大功率LED驱动电源、液晶电视电源板和空调变频模块也是其典型应用场景。特别是在空调压缩机驱动电路中，UPG30N60E可作为IPM（智能功率模块）内部的独立开关单元替代件，用于构建低成本、高性能的变频控制方案。此外，它还可用于电机驱动、电磁炉和感应加热设备中的高频开关环节，发挥其高耐压、大电流和快速响应的优势。
STW30NB60NS
FQP30N60
IRFP4668
