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HM628128DLT5 发布时间 时间:2025/9/7 16:27:53 查看 阅读:18

HM628128DLT5是一款由Hitachi(现为Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片的容量为128Kbit(16K x 8位),采用高速CMOS技术制造,适用于需要快速存取和低功耗的应用场景。该芯片采用5V单电源供电,具备高速读写能力,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等多种应用。HM628128DLT5采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适合高密度电路板设计。

参数

容量:128Kbit (16K x 8)
  电源电压:5V
  访问时间:55ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:32
  功耗:典型值100mA(待机模式下低至10mA)
  数据保持电压:2V
  封装尺寸:8mm x 14mm

特性

HM628128DLT5 SRAM芯片具有多项显著的技术特性,使其适用于多种高性能存储应用。首先,其高速访问时间为55纳秒,确保了快速的数据读写能力,适用于对响应时间要求较高的系统设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,不仅保证了高速性能,同时具备低功耗的特点。在工作模式下,其典型电流为100mA,而在待机模式下电流可降至10mA以下,极大地延长了电池供电设备的使用时间。
  其次,该芯片支持宽范围的工作温度,为-40°C至+85°C,适用于工业级和车载环境中的应用。此外,HM628128DLT5采用了TSOP封装技术,具有较小的封装尺寸(8mm x 14mm),适合高密度PCB布局,减少了电路板的空间占用,提高了系统的集成度。这种封装方式也有助于提高散热性能,增强芯片在高负载环境下的稳定性。
  再者,该芯片具备良好的数据保持能力,在电源电压降至2V时仍能保持存储数据不丢失,这一特性在系统掉电或突发断电情况下提供了额外的数据保护能力。此外,HM628128DLT5的引脚配置清晰,支持标准的SRAM接口,易于与微处理器、FPGA、ASIC等主控器件连接,降低了系统设计的复杂度。该芯片的读写操作通过CE(片选)、OE(输出使能)和WE(写使能)信号控制,提供了灵活的控制方式,适应多种系统架构。

应用

HM628128DLT5 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中。例如,在工业自动化控制系统中,该芯片可作为缓存或临时数据存储器,用于暂存传感器数据、控制指令和状态信息,确保系统的实时响应能力。在通信设备中,HM628128DLT5可用于网络路由器、交换机或无线基站中的数据缓冲,提高数据传输的稳定性和处理效率。此外,在嵌入式系统和便携式设备中,如医疗仪器、测试设备、智能仪表等,该芯片的低功耗特性使其非常适合电池供电应用,延长设备的续航时间。
  由于其TSOP封装体积小巧,HM628128DLT5也常用于空间受限的消费电子产品,如数码相机、游戏机外设、智能卡终端等。在汽车电子系统中,该芯片可用于车身控制模块、车载娱乐系统或导航设备,适应汽车工作环境下的宽温要求。同时,该芯片也可用于数据采集系统、工业PC、数据记录仪等应用,作为高速数据缓存,提高系统的整体性能。由于其接口标准且兼容性强,HM628128DLT5在多种微控制器系统中被广泛使用,作为外部扩展存储器,提高系统的数据处理能力。

替代型号

IS62C128AL-55TLI, CY62128EVLL-55ZI, IDT71V128SA55PI, A6212805S

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