GA1210A182FXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,适用于多种开关和功率转换应用场景。该芯片具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度等特点,能够在高频条件下高效运行。其封装形式为 TO-263(DPAK),能够有效散热,确保在高负载条件下的稳定性能。
该型号通常用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用中,凭借其出色的电气特性和可靠性,成为工业和消费电子领域的热门选择。
类型:功率 MOSFET
封装:TO-263 (DPAK)
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:25A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
功耗:30W
GA1210A182FXCAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.8mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏源电压 (120V),可适应较宽的输入电压范围。
3. 快速开关能力,得益于低栅极电荷和优化的内部结构,适合高频应用。
4. 小型化封装 (TO-263),具备良好的热性能,支持高功率密度设计。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),适合各种严苛环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
这些特性使得该器件非常适合于需要高效功率转换和高可靠性的场合。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计,提供高效的功率转换。
2. 直流-直流转换器,例如降压或升压电路。
3. 电机驱动器,用于控制小型直流电机或步进电机。
4. 汽车电子系统,如电池管理系统 (BMS) 或车载充电器。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 可再生能源应用,如太阳能逆变器或储能系统。
由于其强大的性能和灵活性,GA1210A182FXCAR31G 成为许多工程师首选的功率 MOSFET 解决方案。
IRFZ44N
FDP5500
AOI512
STP16NF06L