类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　集电极-基极电压（Vcb）：60V
　　发射极-基极电压（Veb）：6V
　　最大集电极电流（Ic）：200mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：100至300（根据工作电流不同）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　

LMBT3904LT1G(1AM)具有多项优异特性，使其在多种电子电路中表现卓越。
　　首先，该晶体管的高频响应能力使其在高达100MHz的频率范围内仍能保持良好的增益性能。这种特性使其非常适合用于高频放大电路，如射频信号放大器和高速开关应用。
　　其次，LMBT3904LT1G(1AM)的增益（hFE）范围为100至300，具体值取决于集电极电流的大小。这种宽广的增益范围使得该器件能够适应从低电流到中等电流的各种应用需求，并确保稳定的放大性能。
　　此外，该晶体管采用了先进的硅外延平面技术，使其具有良好的热稳定性和较低的漏电流。在极端温度条件下，LMBT3904LT1G(1AM)依然能够保持稳定的工作特性，适用于工作环境较为严苛的应用场景。
　　在封装方面，LMBT3904LT1G(1AM)采用SOT-23封装，体积小巧，便于PCB布局并节省空间。该封装还具有良好的散热性能，有助于在高电流工作时保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　最后，LMBT3904LT1G(1AM)具有较高的耐用性和广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适合在工业、消费电子、汽车电子等多个领域中使用。其优良的电气特性和稳定的性能使其成为一款值得信赖的通用晶体管。

LMBT3904LT1G(1AM)适用于多种电子电路设计，尤其适合通用开关和小信号放大应用。
　　在数字电路中，该晶体管常用作开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机等负载设备的通断。由于其最大集电极电流可达200mA，因此能够直接驱动许多常见的低功耗设备，从而简化电路设计。
　　在模拟电路中，LMBT3904LT1G(1AM)可作为小信号放大器使用，例如音频前置放大器、射频信号放大器和传感器信号调理电路。其高达100MHz的截止频率（fT）使其在高频应用中表现出色，适合用于无线通信、射频识别（RFID）和传感器接口电路。
　　此外，该晶体管也常用于电源管理电路，如电压调节器、电池充电电路和DC-DC转换器中的控制部分。其良好的热稳定性和较低的漏电流特性使其在低功耗和高温环境下依然能够稳定工作。
　　在工业自动化和控制系统中，LMBT3904LT1G(1AM)可用于驱动继电器、光耦合器和小型执行机构，确保系统的可靠性和稳定性。由于其SOT-23封装体积小巧，因此也非常适合用于高密度PCB设计，如便携式电子产品和嵌入式系统。

2N3904, BC817, PN2222A, 2N2222, MMBT3904