时间：2025/8/2 4:55:51
阅读：36
DMN2028UFU-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场合。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理和电池供电设备等应用。
类型：N 沟道
漏极电流（ID）：5.0A
漏源极电压（VDS）：20V
栅源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ @ VGS=2.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
安装类型：表面贴装
DMN2028UFU-13 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。在 VGS 为 4.5V 时，RDS(on) 仅为 30mΩ，在 2.5V 时为 40mΩ，这使得该 MOSFET 在低电压栅极驱动系统中也能保持良好的性能。
此外，该器件采用 Trench MOSFET 技术，提供了卓越的开关性能和热稳定性，确保在高频率操作下的可靠性和效率。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器等应用。
DMN2028UFU-13 采用 TSOP 封装，尺寸小巧，适合空间受限的设计。该封装具有良好的热管理能力，确保在高电流负载下也能保持稳定运行。其表面贴装封装也简化了 PCB 布局和制造流程。
DMN2028UFU-13 主要应用于需要高效功率控制的系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可以提供低导通损耗和快速开关特性，从而提高电源转换效率。在负载开关应用中，它可用于控制电源的通断，以实现节能和保护电路。
Si2302DS, FDN340P, DMN2028UFK
