时间：2025/8/30 17:04:26
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2R300TB-8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高功率的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和较高的耐压能力，适合在电源管理、电机控制、负载开关、DC-DC 转换器等电路中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：300V
栅源电压 Vgs：±30V
漏极电流 Id：2A
导通电阻 Rds(on)：最大 2.4Ω（@ Vgs = 10V）
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2R300TB-8 的核心优势在于其具备较高的电压耐受能力（300V Vds）和相对较低的导通电阻，有助于降低系统在高负载情况下的功率损耗。其 TO-220 封装形式具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在高能量负载条件下保持稳定运行。
此外，2R300TB-8 采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性，适用于工业级和汽车电子系统。栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与多种控制电路兼容。在实际应用中，该器件能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，适用于高温环境下的电力系统设计。
2R300TB-8 主要用于需要较高电压耐受能力和中等电流处理能力的场合，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、马达控制、照明系统、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高可靠性也使其适用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块和车载充电系统。
2R300TB-8 的替代型号包括：IRF730、STP3NK60Z、2SK2647、FQP3N80C、2R300LA-8
