时间：2025/8/14 2:20:23
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LMBR1200FT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装封装（SOD-123FL）。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高效率的电源转换和整流应用。LMBR1200FT1G 的最大重复峰值反向电压为20V，最大平均整流电流为1A，适合用于电池充电器、DC-DC转换器和负载开关等应用。
最大重复峰值反向电压：20V
最大平均整流电流：1A
正向压降：0.33V（典型值，IF=1A）
反向漏电流：100μA（最大值，VR=20V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
LMBR1200FT1G 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于提高电源转换效率并减少热损耗。由于采用了肖特基势垒技术，该二极管具有非常快的开关速度，几乎无反向恢复时间，从而降低了高频开关应用中的开关损耗。
此外，LMBR1200FT1G 采用小型表面贴装封装（SOD-123FL），非常适合空间受限的高密度PCB设计。其紧凑的封装也提高了热管理和可靠性，适用于便携式设备和消费类电子产品。
该器件还具有良好的高温性能，在高温环境下仍能保持稳定的工作特性，适用于各种恶劣环境下的电子系统。LMBR1200FT1G 的低功耗和高可靠性使其成为电源管理和能源转换应用的理想选择。
LMBR1200FT1G 主要用于电源管理电路，如电池充电器、DC-DC转换器、负载开关和反向电压保护电路。在这些应用中，低正向压降和快速开关特性能够显著提高系统的整体效率。
此外，LMBR1200FT1G 还广泛应用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为整流和电源切换元件。其小型封装和高效率特性使其非常适合这些对空间和功耗有严格要求的设备。
工业控制系统、传感器模块和通信设备也常常使用该器件，以确保高效的能量传输和稳定的电路性能。
LMBR1200T1G, LMBR1200V, MBRM120, RB052VBM-TR
