类型：CMOS SRAM
　　组织结构：64K x 4
　　容量：256Kbit
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP-II, 44引脚
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL兼容
　　最大静态电流：5μA
　　最大动态电流：45mA
　　读写模式：异步，三态输出
　　封装尺寸：约10.16mm x 7.5mm x 1.0mm

KM6164000BLT-5L具备出色的存取速度与低功耗特性，典型访问时间为55纳秒，能够在高频系统中实现快速的数据读写操作，满足实时性要求较高的应用场景。其CMOS制造工艺确保了低静态功耗，最大待机电流仅为5微安，显著延长了电池供电设备的运行时间。
　　该器件采用LVTTL电平接口，能够与多种主流微处理器、微控制器和逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂度和成本。其异步控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持标准的SRAM读写时序，易于集成到现有系统中。
　　KM6164000BLT-5L具有高可靠性和抗干扰能力，在电磁环境复杂的工业现场仍能保持稳定运行。器件内部集成了防闩锁（Latch-up）保护电路，提升了在瞬态电压条件下的安全性。同时，其TSOP-II封装具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化贴片生产流程。
　　该SRAM支持全静态操作，意味着只要电源持续供应，数据将被永久保持，无需像DRAM那样进行周期性刷新，从而简化了系统内存管理机制。此外，所有引脚均具备静电放电（ESD）保护功能，典型防护等级可达±2000V（人体模型），增强了器件在运输和装配过程中的耐用性。
　　该芯片通过了严格的工业级温度认证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，适应恶劣环境下的长期运行需求。其高密度存储结构与紧凑封装相结合，使其成为空间受限但性能要求较高的嵌入式系统的理想选择。

KM6164000BLT-5L常用于需要高速、低功耗、非易失性缓存的电子系统中。典型应用包括网络路由器与交换机中的数据缓冲区、工业PLC控制器的数据暂存单元、测试测量仪器的采样数据存储、医疗设备中的实时信号处理模块，以及消费类电子产品如打印机、扫描仪中的图像数据缓存。
　　在通信基础设施中，该SRAM可用于协议转换器、基站控制单元和光纤收发模块中，用于临时存储信令信息或帧数据。由于其快速响应能力和稳定的时序特性，特别适合用于多任务并行处理的嵌入式主控板中作为辅助内存使用。
　　此外，该器件也适用于需要扩展MCU外部内存的应用场景，例如当主控芯片片内RAM不足时，可通过外部总线连接KM6164000BLT-5L来提升系统整体性能。其工业级温度范围使其在户外监控设备、车载电子系统和智能仪表等领域也具有广泛应用前景。
　　在开发与调试阶段，工程师常利用此类SRAM构建原型验证平台，因其无需复杂初始化流程，上电即可使用，大大缩短了开发周期。同时，其标准化接口和通用命令集使得软件驱动编写更加简便，兼容性强。

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　　 "AS6C62256B-55PCN",
　　 "IS62WV6416BLL-55BLI",
　　 "CY7C1399D-55BZC",
　　 "IDT71V64SA15PH",
　　 "MCM6164000P"
　　]