类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：3 A
　　总功耗（PD）：50 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　直流电流增益（hFE）：最小值 100（测试条件 IC=500mA, VCE=2V）
　　最大值可达 400 以上（视具体分档而定）
　　饱和电压（VCE(sat)）：典型值 0.3 V（IC=1.5A, IB=150mA）
　　过渡频率（fT）：典型值 150 MHz
　　封装类型：TO-252（DPAK）

2SD1782K T146R具备优异的电气特性和可靠性，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其最大集电极-发射极电压为100V，能够满足大多数中压功率应用的需求，例如开关电源中的脉冲宽度调制（PWM）控制、逆变器驱动以及直流电机控制等场景。该晶体管的集电极电流额定值高达3A，允许其在负载较重的情况下仍能保持良好性能，同时其总功耗可达50W，配合适当的散热片使用时可有效管理热量积累。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，通常在100至400之间，确保了在不同工作状态下都能提供足够的放大能力，有助于减少前级驱动电路的设计复杂度。此外，较低的饱和压降（VCE(sat)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这对于电池供电设备或对能效要求较高的绿色能源系统尤为重要。
　　高频特性方面，2SD1782K的过渡频率（fT）达到150MHz，表明其具备良好的高频响应能力，适合用于高速开关应用，如高频DC-DC转换器或数字逻辑驱动电路。结合TO-252封装所具有的低热阻特性，该器件能够快速将内部产生的热量传导至PCB或外部散热结构，从而提升长期运行的可靠性和寿命。
　　在环境适应性方面，其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业和消费级应用场景，包括高温车间、户外设备以及汽车电子等领域。器件还通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

2SD1782K T146R广泛应用于各类需要中等功率放大的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的功率开关元件，用于控制变压器初级侧的通断操作，实现高效的电能转换；在DC-DC升压或降压模块中作为主控晶体管，配合电感和控制IC完成电压调节功能；还可用于电机驱动电路，特别是小型直流电机或步进电机的驱动输出级，提供足够的电流驱动能力以带动机械负载。
　　在工业自动化领域，该晶体管可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块，驱动继电器、电磁阀或其他执行机构。由于其具备较高的抗浪涌能力和良好的热稳定性，因此在频繁启停或负载波动较大的工况下仍能保持可靠运行。此外，在照明控制系统中，尤其是LED调光驱动器中，2SD1782K可用于PWM信号放大，精确控制LED亮度输出。
　　消费类电子产品中，如电视机、音响设备、电源适配器等也常采用此类晶体管进行音频功率放大或电源整流后的稳压控制。其表面贴装封装形式（TO-252）非常适合现代化SMT生产线，提高了组装效率并减少了人工干预。同时，该器件也可用于电池充电管理电路中，作为过流保护或恒流充电的控制开关，保障充电过程的安全性与稳定性。

2SD1782K, 2SD1782, MJD31C, MJE13005, KSE130, BU406