MA0402CG2R0D100 是一款基于硅基材料的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效能开关应用和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 DPAK (TO-252),适用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换电路。
MA0402CG2R0D100 的设计目标是提供一种在高频工作条件下仍保持高效率和稳定性的解决方案,同时支持大电流负载需求。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:23A
最大脉冲漏极电流:78A
导通电阻(典型值):2.0mΩ
栅极电荷:119nC
输入电容:1720pF
反向恢复时间:38ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:DPAK (TO-252)
MA0402CG2R0D100 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频开关电源和其他高频应用场景。
3. 出色的热稳定性,即使在极端温度环境下也能保持可靠性能。
4. 强大的电流承载能力,确保在大电流条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
这些特性使 MA0402CG2R0D100 成为多种功率转换和电机驱动应用的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:
用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
3. 工业自动化:
如伺服驱动器和可编程逻辑控制器 (PLC) 中的功率级。
4. 汽车电子:
包括电动助力转向 (EPS) 系统和车载充电器。
5. 可再生能源:
太阳能逆变器和储能系统的功率管理部分。
由于其高性能和可靠性,MA0402CG2R0D100 在这些领域中均表现出色。
MA0402CG2R0D150, IRFZ44N, FDP5570N