8N90 时间：2025/8/2 2:35:55 阅读：24

8N90是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国内厂商生产，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件以其高耐压、大电流能力和低导通电阻的特性，成为许多电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统中的常用元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：900V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　漏极电流(ID)：8A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
　　功耗(PD)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

8N90 MOSFET具备多项优异特性，适合多种高功率应用场景。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）、LED驱动电源以及工业控制系统。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，8N90具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了其在严苛环境中的可靠性。
　　该MOSFET还具备较强的抗冲击能力，能够承受一定的瞬态过载电流，从而在电机驱动、开关电源等场合中表现出良好的耐用性。同时，其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，增强了设计的灵活性。
　　在封装方面，8N90通常采用TO-220或TO-252（DPAK）等标准封装形式，便于散热和安装，适用于PCB板上的自动化装配流程。

应用

8N90广泛应用于各类中高功率电子设备中，尤其是在需要高电压和中等电流控制的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、LED恒流驱动电源、直流电机控制、逆变器、电池管理系统（BMS）、电焊机电源、UPS不间断电源系统等。在这些应用中，8N90用于实现高效的电源转换和稳定的功率开关控制。
　　此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC控制器、变频器、伺服驱动器等。其高可靠性和良好的热管理性能使其在长期运行的工业环境中具有较高的稳定性和使用寿命。