类型：齐纳二极管
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SOD-523
　　功率耗散：200毫瓦
　　齐纳电压：3.6伏特
　　最大齐纳电流：100毫安
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大反向漏电流：100纳安
　　最大正向电压：1.5伏特

LM3Z3V6LT1G齐纳二极管具有多个显著特性，使其在电子电路中非常有用。首先，其齐纳电压为3.6伏特，能够在反向击穿区域提供稳定的电压参考，适用于需要精确电压调节的应用。该器件的功率耗散能力为200毫瓦，使其能够在多种工作条件下保持稳定性能。LM3Z3V6LT1G的最大齐纳电流为100毫安，这使得它能够承受较高的电流负载而不影响其稳压性能。此外，该齐纳二极管的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其适用于各种环境条件下的应用。它的最大反向漏电流仅为100纳安，这意味着在正常工作条件下，其漏电流非常低，不会对电路性能产生显著影响。LM3Z3V6LT1G的正向电压降为1.5伏特，这在设计电路时需要考虑，以确保适当的电压调节和稳定性。此外，SOD-523封装使其适合表面贴装技术（SMT），便于在现代电子设备中使用。

LM3Z3V6LT1G齐纳二极管广泛应用于多种电子设备和系统中。它常用于电压参考电路中，为其他组件提供稳定的参考电压。在稳压电路中，LM3Z3V6LT1G能够保持输出电压的稳定，防止由于输入电压波动或负载变化引起的电压波动。它也适用于电池供电设备，确保在电池电压下降时仍能提供稳定的电压。此外，LM3Z3V6LT1G可用于过压保护电路，防止电路中的其他组件因电压过高而损坏。在需要高精度电压调节的工业和消费类电子产品中，如电源供应器、测量仪器和通信设备，LM3Z3V6LT1G也是理想的选择。

LM3Z3V6T1G