时间：2025/7/26 1:00:22
阅读：6
APT30D30BCTG是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的平面沟槽栅技术，提供低导通电阻、快速开关性能和高可靠性。APT30D30BCTG适用于电源管理、电机控制、电池管理系统以及各种工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：30A
最大漏-源电压：30V
导通电阻(RDS(on))：约5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压：2.5V至4.0V
最大功耗：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
APT30D30BCTG具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用先进的封装技术，具有良好的热管理能力，支持在高温环境下稳定工作。
此外，APT30D30BCTG的快速开关特性使其适用于高频应用，如DC-DC转换器、同步整流和电机驱动器。栅极电荷低，减少了开关过程中的能量损耗，提高了动态响应性能。
该MOSFET还具备高雪崩能量承受能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。其坚固的结构设计和优异的短路耐受能力，使其在工业和汽车电子应用中表现出色。
APT30D30BCTG的封装设计支持简易的散热管理和PCB布局，适用于各种功率电子设备的紧凑型设计。同时，其符合RoHS标准，满足环保要求。
APT30D30BCTG广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、逆变器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电动工具和电动汽车控制系统等。在汽车电子中，它常用于车载充电器、电驱系统和能量管理系统。在工业领域，APT30D30BCTG可作为高功率开关元件，用于高效电源模块和智能功率模块（IPM）。
IRF30D30LPBF | FDP30D30C | STP30DN30L | FCH30D30C
