类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1500 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.5 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：40 A
　　最大正向电压降（VF）：1.65 V（在1.5A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：10 μA（典型值，25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：RSM1（表面贴装）
　　热阻结至外壳（RθJC）：30 K/W（典型值）
　　是否符合RoHS：是

15FXR-RSM1-GAN-TB的核心优势在于其基于6H-SiC晶圆的肖特基势垒结构，这种结构消除了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而实现了零反向恢复电荷（Qrr）和几乎无反向恢复电流的特性。这一特点使其在高频DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路和逆变器中表现出色，能够显著减少电磁干扰（EMI）并提升系统效率。与传统的硅基快恢复二极管相比，该器件在相同工作条件下可降低开关损耗达50%以上，尤其适用于工作频率超过100kHz的开关电源设计。
　　该器件具有极低的正向导通压降（VF），在1.5A电流下仅为1.65V左右，有助于减少导通期间的能量损耗，提高电源系统的整体能效。同时，其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，在150°C时通常不超过100μA，远优于同等条件下的硅器件，确保了高温运行的稳定性。此外，RSM1小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于散热设计，适用于高密度电源模块。
　　该二极管具备优异的抗浪涌能力，可承受高达40A的非重复浪涌电流，增强了系统在瞬态过载或启动冲击下的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等高温或严苛环境。此外，器件符合RoHS标准，无铅且环保，满足现代电子产品对绿色制造的要求。通过优化的芯片布局和封装工艺，该器件还具备良好的抗湿性和机械稳定性，适合自动回流焊工艺，提高了生产良率和长期可靠性。

15FXR-RSM1-GAN-TB广泛应用于高效率开关电源系统中，尤其是在需要高频开关和高温稳定性的场合。其典型应用场景包括服务器电源、通信电源、LED驱动电源以及工业级AC-DC和DC-DC转换器。在功率因数校正（PFC）升压级电路中，该二极管作为升压二极管使用，能够有效减少开关损耗，提高PFC级的转换效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。
　　在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中的整流元件，利用其低VF和零Qrr特性提升系统效率。在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，该二极管可作为输出整流或续流二极管，支持高功率密度设计。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热等工业电源领域。
　　由于其表面贴装封装形式，15FXR-RSM1-GAN-TB特别适合自动化生产和紧凑型设计，广泛用于需要小型化和高可靠性的现代电子设备中。在高温环境如油田设备、轨道交通和航空航天电源系统中，其宽温工作能力和碳化硅材料的固有优势使其成为理想选择。此外，该器件还可用于高频变压器次级侧的同步整流辅助电路，或作为保护用的钳位二极管，防止电压尖峰损坏主开关器件。