时间：2025/7/4 19:14:58
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HH18N1R0D500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他电力电子设备中。该器件采用TO高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于要求高效能和高可靠性的应用环境。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其工作原理是通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态。当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET进入导通状态；反之则关闭。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
栅源开启电压：4V~8V
导通电阻：0.18Ω
功耗：150W
结温范围：-55℃~175℃
HH18N1R0D500CT拥有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适用于高压场景下的开关操作。
2. 低导通电阻设计，减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频工作模式，降低电磁干扰。
4. 具备较强的热稳定性，在高温环境下仍可保持稳定运行。
5. TO-220标准封装，便于安装和散热管理。
6. 符合RoHS环保标准，确保对环境友好且满足国际法规要求。
HH18N1R0D500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如笔记本电脑适配器、电视机电源等。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子、通信基站及工业设备中的电压调节。
3. 电机驱动电路，例如电动工具、家用电器的无刷直流电机控制。
4. 逆变器系统，包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及变频空调。
5. 各类电力电子保护电路，如过流保护、短路保护等功能模块。
IRF540N
STP18NF50
FQP18N50C
