类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（Tc=25°C）
　　功耗（Pd）：160W
　　导通电阻 Rds(on)：最大 2.2mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

BSPS2255TN 具备一系列优异的电气和热性能特点，适用于多种高功率应用场景。其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 条件下最大仅为 2.2mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 可承受高达 110A 的连续漏极电流，适用于需要高电流能力的应用，如服务器电源、电动汽车充电系统和高功率 DC-DC 转换器。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，提升了单位面积内的电流密度，从而在相同功率水平下减小了封装尺寸。TO-252（DPAK）封装不仅具备良好的散热性能，而且支持表面贴装工艺（SMD），提高了生产效率和装配可靠性。
　　BSPS2255TN 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，例如使用 PWM 控制器或专用栅极驱动 IC。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体转换效率。同时，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的稳定性与耐用性。
　　另外，BSPS2255TN 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛环境下的运行需求，广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中。

BSPS2255TN 适用于多种高功率密度和高效率的电源系统设计，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低损耗，提高系统能效。

SiS150DN, IRF150, FDP150N10A, IPB150N10N3G