您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ATF-36163-TR1G

ATF-36163-TR1G 发布时间 时间:2025/9/16 13:47:24 查看 阅读:14

ATF-36163-TR1G是一款由Microchip Technology公司生产的高性能射频(RF)晶体管,属于其先进半导体解决方案的一部分。该器件专为高频率和高线性度应用设计,广泛用于无线通信系统、基站、工业控制和测试设备中。ATF-36163-TR1G基于砷化镓(GaAs)工艺制造,采用增强型假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术,具有优异的射频性能和稳定性。该晶体管采用SOT-363封装,体积小巧,适合高密度电路板布局。

参数

晶体管类型:GaAs pHEMT
  工作频率范围:DC至6 GHz
  最大漏极电流(ID):250 mA
  漏极电压(VD):8 V
  栅极电压(VG):-2.8 V(典型值)
  输出功率(PSAT):27 dBm(典型值)
  增益(Gps):19 dB(典型值)
  噪声系数(NF):0.45 dB(典型值)
  线性度(OIP3):35 dBm(典型值)
  封装类型:SOT-363

特性

ATF-36163-TR1G具有多项先进的技术特性,使其在高性能射频应用中表现出色。首先,该晶体管在宽频率范围内(DC至6 GHz)提供高增益和高线性度,适用于多频段和宽带通信系统。其次,它具有极低的噪声系数(0.45 dB),使其成为低噪声放大器(LNA)的理想选择。此外,该器件的高输出功率(PSAT为27 dBm)和出色的三阶交调截距(OIP3为35 dBm)确保了其在高线性度要求的应用中表现出色。ATF-36163-TR1G还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在严苛的环境条件下稳定运行。

应用

ATF-36163-TR1G适用于多种射频和微波应用,包括无线基站、点对点通信系统、无线基础设施设备、测试和测量仪器、工业控制系统以及卫星通信设备。由于其高线性度和低噪声特性,该器件特别适合用于需要高信号完整性的通信系统中,例如4G/5G基站、WLAN和WiMAX设备。

替代型号

HMC414MSX, ATF-36163-TR1G的性能相似型号包括Avago Technologies的MGA-634P8和NEC的NE3210S01。

ATF-36163-TR1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ATF-36163-TR1G参数

  • 数据列表AT Series Transistor Guide
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型pHEMT FET
  • 频率4GHz
  • 增益15.8dB
  • 电压 - 测试2V
  • 额定电流40mA
  • 噪音数据0.6dB
  • 电流 - 测试15mA
  • 功率 - 输出5dBm
  • 电压 - 额定3V
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)