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SP8J3TB 发布时间 时间:2025/11/8 5:30:16 查看 阅读:6

SP8J3TB是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),专门设计用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等。该器件属于表面贴装型(SMA封装)的单向TVS二极管,具有较高的峰值脉冲功率承受能力,适用于多种工业、消费类及通信应用中的电路保护。SP8J3TB能够在短时间内吸收大量的瞬态能量,并将其安全地泄放到地,从而防止下游元器件因电压突变而损坏。该TVS二极管在正常工作条件下呈现高阻抗状态,不影响电路运行;当出现超过其击穿电压的瞬态电压时,迅速进入低阻态,箝位电压至安全水平。其SMA封装形式便于自动化贴片生产,适合现代高密度PCB布局需求。此外,SP8J3TB符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,广泛应用于电源线、信号线以及接口端口的过压保护场景中。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  反向工作电压(VRWM):3.3V
  击穿电压(VBR):最小3.67V,典型值约4.08V,最大4.5V
  测试电流(IBR):10mA
  最大钳位电压(VC):9.2V(在IPP=4.8A时)
  峰值脉冲电流(IPP):4.8A
  峰值脉冲功率(PPPM):3000W(8/20μs波形)
  漏电流(IR):小于100μA(在VRWM=3.3V时)
  响应时间:皮秒级
  极性:单向
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃

特性

SP8J3TB具备卓越的瞬态过电压防护性能,其核心优势在于高达3000W的峰值脉冲功率处理能力,能够有效应对严酷的电气环境下的突发性浪涌事件。该TVS二极管采用先进的半导体工艺制造,确保了在瞬态事件发生时具有极快的响应速度——通常在皮秒量级,远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管,因此可在电压上升初期即启动保护机制,最大限度减少对后级电路的冲击。其单向导通结构特别适用于直流电源线路的保护,例如USB供电端口、电池管理系统、微控制器电源引脚等,在这些应用场景中,仅需防范正向瞬态电压侵入。器件的击穿电压范围经过精确控制,典型值为4.08V,结合9.2V的最大钳位电压,可在保证系统正常工作的前提下提供足够的安全裕度。此外,SMA封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能,有助于将瞬态过程中产生的热量快速散发,提升长期可靠性。SP8J3TB的低动态电阻特性使其在导通状态下能维持较低的残压,进一步增强保护效果。该器件通过AEC-Q101汽车级认证,适用于车载电子系统,同时满足IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准要求,可用于构建符合EMC法规的产品设计。其稳定的电气参数和坚固的封装结构使其在高温、高湿及振动环境下仍保持优异性能,是工业自动化、消费电子、通信设备等领域中理想的电路保护解决方案。
  值得一提的是,SP8J3TB的漏电流非常低,在额定反向工作电压下不超过100μA,这意味着它在待机或低功耗模式下几乎不会增加系统的静态功耗,非常适合便携式设备和电池供电系统使用。同时,其宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃)使其能在极端气候条件下稳定运行,适用于户外设备、汽车引擎舱附近电子模块等严苛环境。由于其高度集成化的设计理念,无需额外的偏置电路或控制逻辑即可实现自动触发保护功能,简化了系统设计流程并降低了整体成本。总体而言,SP8J3TB以其高性能、高可靠性和易于集成的特点,成为现代电子产品中不可或缺的关键保护元件之一。

应用

广泛应用于各类电子设备的过压保护,包括但不限于:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、移动电源)中的USB接口ESD防护;工业控制系统中PLC输入输出端口的浪涌抑制;汽车电子系统(如车载导航、ADAS传感器、BCM模块)的电源线保护;通信设备(如路由器、交换机、光模块)的数据线与供电线路防雷击感应;以及任何需要对抗静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的浪涌脉冲的场合。此外,也常用于保护微处理器、ASIC、FPGA等敏感IC的供电引脚,防止因意外电压尖峰导致锁死或永久损坏。

替代型号

SMAJ3.3A-TR P6KE3.3A SMAJ3.3CA

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SP8J3TB参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds490pf @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP8J3TB-NDSP8J3TBTR