时间：2025/7/8 15:33:08
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HUF76143P3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252(DPAK)封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。
由于其出色的电气性能，HUF76143P3被广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻：4.5mΩ
总栅极电荷：98nC
开关时间：典型值ton=12ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(4.5mΩ)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够支持高频开关应用。
3. 高雪崩能量耐受能力，确保在异常条件下也能稳定工作。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
5. TO-252(DPAK)封装形式，节省空间且易于安装。
6. 耐热增强设计，能够在高温环境下长时间运行。
HUF76143P3适用于各种高电流、低电压的功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
4. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
5. 工业设备中的功率管理和信号调节。
6. LED照明驱动器中的电流控制。
IRF7614,
STP120NF06L,
FDP150N06S,
AO4814
