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HUF76143P3 发布时间 时间:2025/7/8 15:33:08 查看 阅读:7

HUF76143P3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适合于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。
  由于其出色的电气性能,HUF76143P3被广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:43A
  导通电阻:4.5mΩ
  总栅极电荷:98nC
  开关时间:典型值ton=12ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够支持高频开关应用。
  3. 高雪崩能量耐受能力,确保在异常条件下也能稳定工作。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. TO-252(DPAK)封装形式,节省空间且易于安装。
  6. 耐热增强设计,能够在高温环境下长时间运行。

应用

HUF76143P3适用于各种高电流、低电压的功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
  4. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
  5. 工业设备中的功率管理和信号调节。
  6. LED照明驱动器中的电流控制。

替代型号

IRF7614,
  STP120NF06L,
  FDP150N06S,
  AO4814

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HUF76143P3参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0055 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Tube
  • 下降时间18 ns
  • 最小工作温度- 40 C
  • 功率耗散225 W
  • 上升时间145 ns, 55 ns
  • 典型关闭延迟时间30 ns, 40 ns