APT13GP120B 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的高功率双极型晶体管(BJT),专为高频和高功率应用设计。该器件属于NPN型晶体管,能够在较高的频率范围内提供优异的性能,适用于射频放大器、工业加热设备、雷达系统以及通信基础设施等领域。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流 (Ic):13 A
最大集电极-发射极电压 (Vce):120 V
最大集电极-基极电压 (Vcb):150 V
最大功耗 (Ptot):300 W
工作温度范围:-65°C 至 +200°C
封装类型:TO-247
增益带宽积 (fT):100 MHz
直流电流增益 (hFE):在 Ic=1A, Vce=5V 时为 40~200
APT13GP120B 拥有卓越的热稳定性和高可靠性,适合在极端环境下运行。其高击穿电压(Vceo = 120V)使其能够承受较大的电压应力,适用于多种高功率应用场景。此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),有助于减少功率损耗并提高效率。
该器件采用先进的硅外延平面技术制造,具备良好的线性度和稳定性,适用于模拟和开关模式操作。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能,便于安装在散热片或散热系统上,确保长时间工作的热管理能力。
APEX 系列晶体管(如 APT13GP120B)还具有出色的抗二次击穿能力和较强的脉冲负载承受能力,是许多工业和军用电子设备中的首选功率晶体管之一。
APT13GP120B 主要用于需要高功率输出和高频响应的电路中,例如:
- 高频功率放大器(HF/VHF/UHF 范围)
- 工业射频加热系统
- 脉冲电源与逆变器
- 雷达发射模块
- 通信基站功率放大器
- 电机驱动和电源转换系统
MJ15003G、MJ15024、2N6292、APT13GH120BD