时间：2025/7/25 8:45:08
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APTM10DUM02G 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于功率MOSFET系列。该器件采用先进的沟槽式栅极结构，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和低损耗的电力电子应用。APTM10DUM02G 是一款N沟道MOSFET，适用于各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道
最大漏极电流：10A
最大漏源电压：20V
导通电阻：2.2mΩ（典型值）
栅极电压范围：-12V至+20V
功耗：3.6W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN10（双扁平无引脚封装）
APTM10DUM02G 具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）仅为2.2mΩ，能够有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。这种低导通电阻特性尤其适用于高电流应用，如DC-DC转换器和负载开关。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构，使其具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小了外围元件的尺寸并提高了系统的功率密度。
此外，APTM10DUM02G 的栅极电压范围较宽，支持-12V至+20V的输入，确保了在不同驱动条件下的稳定工作。其DFN10封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。该器件还具备较高的热稳定性，能够在较高温度环境下保持稳定的性能表现，延长了使用寿命。
该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频应用中的效率。同时，其短路耐受能力也较强，能够在一定程度上抵御瞬态过载情况下的损坏，提高了系统的可靠性和安全性。
APTM10DUM02G 广泛应用于多个电力电子领域，尤其适合高效率、小尺寸的电源系统设计。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电动工具和无人机的电源模块。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件在这些应用中能够有效提高能源转换效率，减少热量产生。
在服务器电源和通信设备中，APTM10DUM02G 可用于多相供电系统，实现高电流输出下的低损耗功率控制。在便携式设备和物联网（IoT）产品中，该MOSFET的小型DFN封装和低功耗特性使其成为理想的选择。此外，在电机驱动和工业自动化系统中，该器件能够提供稳定的功率开关性能，满足高可靠性的要求。
Si2302DS, IRF7404, APM2300N
