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HY5PS1G1631CFP 发布时间 时间:2025/9/2 7:41:54 查看 阅读:11

HY5PS1G1631CFP 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片,属于移动式低功耗双倍数据速率3(LPDDR3)类型的内存芯片。该芯片具有1Gbit的存储容量,采用x16的输入/输出配置,适用于需要高带宽和低功耗的便携式设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该封装为FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array),具备良好的散热性能和稳定性。

参数

存储容量:1Gbit
  数据宽度:x16
  电压:1.2V ~ 1.8V(核心电压)
  接口类型:LPDDR3
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:最高可达667MHz
  封装尺寸:108-ball FBGA
  数据速率:1600Mbps

特性

HY5PS1G1631CFP 是一款高性能的低功耗DRAM芯片,专为移动设备和嵌入式系统设计。该芯片采用LPDDR3技术,具有较低的功耗和较高的数据传输速率,非常适合对电池寿命和性能有较高要求的应用场景。其x16的数据宽度配置提供了更高的带宽效率,同时1Gbit的存储容量可以在不增加过多PCB空间的情况下满足中高端设备的内存需求。
  该芯片的工作电压范围为1.2V至1.8V,能够在不同电压环境下稳定运行,进一步优化功耗表现。此外,其支持的时钟频率最高可达667MHz,数据速率达到1600Mbps,提供充足的内存带宽以支持高性能处理器和图形处理需求。
  封装方面,HY5PS1G1631CFP 采用108-ball FBGA封装,具备良好的电气性能和散热能力,适合在紧凑型设备中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于大多数工业和消费类应用场景。

应用

HY5PS1G1631CFP 主要应用于需要高性能、低功耗内存的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和嵌入式计算设备。其高带宽特性也使其适用于图像处理、多媒体应用和中高端嵌入式控制系统。此外,由于其良好的温度适应性和封装设计,该芯片也可用于工业控制、车载系统以及智能穿戴设备等场景。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, EMIF0832E16APB-6A

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