时间：2025/7/24 18:29:58
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LLSD103A 是一款由 LRC（乐山无线电股份有限公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管设计用于高频率开关应用，具备低导通电阻、高效率和优良的热性能，适用于多种电源管理和功率转换场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤3.2mΩ（在 VGS=10V 时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
LLSD103A 具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了整体系统效率。该器件的高电流承载能力和低导通电阻使其在高功率密度应用中表现优异。
此外，LLSD103A 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更好的热管理和更高的可靠性。其封装形式为 TO-263，属于表面贴装封装，适合自动化生产流程并具备良好的散热性能。
LLSD103A 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动器以及各种高功率便携式设备中。其高效率和低导通电阻的特性使其成为汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的理想选择。
SiR103DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1010E
