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VN808TR-E 发布时间 时间:2025/5/27 9:33:38 查看 阅读:13

VN808TR-E 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合在高效率开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及电动工具等场景中使用。
  其设计旨在提供高效的功率管理解决方案,同时具备出色的热性能表现。通过优化的芯片结构和封装技术,VN808TR-E能够实现更小的体积和更高的可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):35mΩ
  栅极电荷:40nC
  功耗:9.6W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

VN808TR-E 的主要特性包括以下几点:
  1. 高电流承载能力,支持高达8A的连续漏极电流。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),典型值为35毫欧姆,有助于降低传导损耗。
  3. 良好的开关性能,具备较小的栅极电荷和较短的开关时间,从而减少开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围,从-55°C到+175°C,适应各种严苛环境。
  5. 热稳定性强,能有效散热以确保长期稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  7. TO-220封装易于安装和散热,适用于多种工业及消费类电子设备。

应用

VN808TR-E 广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器和升压/降压电路。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率调节。
  6. 汽车电子中的启动系统和辅助功能控制。
  由于其出色的电气特性和可靠性,VN808TR-E成为许多需要高效功率管理场景的理想选择。

替代型号

VN806T-E, VN806TR-E

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VN808TR-E参数

  • 其它有关文件VN808-E View All Specifications
  • 产品培训模块Intelligent Power Switches
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列VIPower™
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻150 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道700mA
  • 电流 - 峰值输出1.7A
  • 电源电压10.5 V ~ 45 V
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳36-BSSOP(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-36
  • 包装Digi-Reel®
  • 配用497-4929-ND - BOARD HIGH SIDE DRIVER VN808
  • 其它名称497-4496-6