时间：2025/5/27 9:33:38
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VN808TR-E 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在高效率开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及电动工具等场景中使用。
其设计旨在提供高效的功率管理解决方案，同时具备出色的热性能表现。通过优化的芯片结构和封装技术，VN808TR-E能够实现更小的体积和更高的可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：40nC
功耗：9.6W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
VN808TR-E 的主要特性包括以下几点：
1. 高电流承载能力，支持高达8A的连续漏极电流。
2. 低导通电阻（Rds(on)），典型值为35毫欧姆，有助于降低传导损耗。
3. 良好的开关性能，具备较小的栅极电荷和较短的开关时间，从而减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围，从-55°C到+175°C，适应各种严苛环境。
5. 热稳定性强，能有效散热以确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. TO-220封装易于安装和散热，适用于多种工业及消费类电子设备。
VN808TR-E 广泛应用于多个领域，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器和升压/降压电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率调节。
6. 汽车电子中的启动系统和辅助功能控制。
由于其出色的电气特性和可靠性，VN808TR-E成为许多需要高效功率管理场景的理想选择。
VN806T-E, VN806TR-E
