HMC451LP3ETR 时间：2025/5/7 9:37:40 阅读：12

HMC451LP3ETR是Analog Devices公司（原Hittite Microwave Corporation）生产的一款GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器（LNA）。该器件设计用于要求高增益、低噪声系数和宽带宽的射频应用。其工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz，非常适合于测试设备、点对点无线电、卫星通信以及军事雷达等应用。
　　HMC451LP3ETR采用无引线塑封表面贴装技术（SMT），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合于高密度电路板布局。此外，该芯片在宽带范围内提供优异的增益平坦度和稳定性。

参数

频率范围：0.01 GHz至20 GHz
　　增益：17 dB
　　噪声系数：1.2 dB
　　输入回波损耗：10 dB
　　输出回波损耗：12 dB
　　电源电压：+5 V
　　工作电流：80 mA
　　封装类型：3x3 mm SMT

特性

HMC451LP3ETR的主要特性包括：
　　1. 极宽的工作频率范围（0.01 GHz到20 GHz），使其适用于多种射频应用。
　　2. 高增益（17 dB）和低噪声系数（1.2 dB），保证了信号质量。
　　3. 出色的增益平坦度和稳定性能，减少了外部补偿元件的需求。
　　4. 小型化设计，使用3x3 mm的SMT封装，简化了PCB布局。
　　5. 单电源供电（+5V），降低了系统复杂性和功耗。
　　6. 在整个工作频率范围内保持良好的输入和输出回波损耗（分别达到10 dB和12 dB），从而提升了整体效率。
　　7. 内部匹配至50欧姆，便于集成到标准射频系统中。

应用

HMC451LP3ETR适用于以下应用领域：
　　1. 测试与测量设备中的宽带信号放大。
　　2. 点对点和点对多点无线电通信系统。
　　3. 卫星地面站接收机前端模块。
　　4. 军事雷达和电子对抗系统。
　　5. 光纤通信中的光接收机放大器。
　　6. 医疗成像设备和其他需要低噪声放大的精密仪器。
　　7. 无线基础设施，例如蜂窝基站或微波链路中的信号增强组件。