类型：射频功率晶体管
　　技术：硅双极型晶体管（Si-BJT）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：65V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大耗散功率（PD）：150W
　　频率范围：175MHz - 500MHz
　　输出功率：200W（典型值）
　　增益：约26dB
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出
　　封装形式：气密封陶瓷封装
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RFR200 射频功率晶体管具有多项优异的性能特点，适用于高功率放大应用。首先，其硅双极型晶体管结构能够在高频条件下提供稳定的性能，确保在175MHz至500MHz的频率范围内保持良好的放大效果。该器件的最大集电极-发射极电压为65V，最大集电极电流为1.5A，最大耗散功率为150W，能够支持高功率输出。在典型应用条件下，RFR200 可提供高达200W的输出功率，并具有约26dB的功率增益，这使得它在多级放大系统中可作为高效驱动放大器或最终功率放大器使用。RFR200 采用50Ω输入/输出阻抗匹配设计，简化了外部电路匹配需求，提高了系统的整体稳定性。其气密封陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在恶劣环境下的可靠性和耐用性。此外，RFR200 的工作温度范围宽广，从-65°C至+150°C，适用于各种严苛的工作条件。

RFR200 主要应用于需要高功率放大的射频系统中，例如工业加热、等离子体生成、射频测试设备、无线通信基站、广播发射机以及医疗设备中的射频能量系统。由于其高输出功率和宽频率范围，RFR200 也常用于ISM频段的射频放大器设计中。

RFR200 的替代型号包括 MRF151G 和 BLF177。MRF151G 是一款由 NXP Semiconductors 提供的宽带射频功率晶体管，采用LDMOS技术，具有类似的工作频率范围和输出功率能力，适用于类似的应用场景。BLF177 是另一款由 NXP 生产的射频功率晶体管，适用于HF至VHF频段的高功率放大应用，具有较高的可靠性和稳定性。