时间：2025/6/19 7:44:34
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LLM215R71C473MA11K 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的封装技术，能够在高频和高功率密度的应用场景中提供卓越的性能表现。
此型号是专为提高效率、减小体积和优化热管理设计而开发的。其主要应用场景包括电源适配器、无线充电设备、DC-DC转换器以及各种需要高性能开关特性的电子设备。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：215mΩ
栅极电荷：47nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-40℃至+150℃
LLM215R71C473MA11K 拥有低导通电阻和低栅极电荷，这使得它在高频工作条件下表现出极低的开关损耗。此外，这款器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
该功率晶体管支持快速开关操作，并且具有良好的抗电磁干扰能力。同时，其封装设计有助于简化PCB布局并提升散热效果。
另外，该产品内置了多种保护机制，例如过流保护和短路保护，从而增强了系统的安全性和稳定性。总体而言，LLM215R71C473MA11K 是一款性能优异、功能全面的功率晶体管，非常适合现代高效能电力电子设备的需求。
LLM215R71C473MA11K 广泛应用于高频开关电源、AC-DC及DC-DC转换器、无线充电模块、电机驱动电路以及其他需要高效功率控制的领域。
具体来说，这款器件特别适合用于笔记本电脑和手机快充适配器的设计，能够显著提高转换效率并缩小整体尺寸。此外，在新能源汽车充电桩和工业自动化设备中，该型号也得到了广泛的应用。
LLM215R71C473MB11K
LLM215R71C473MC11K
