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STP40N06FI 发布时间 时间:2025/7/22 13:58:45 查看 阅读:7

STP40N06FI是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。STP40N06FI具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适合在中高功率电子系统中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID)@25℃:40A
  导通电阻(RDS(on)):最大40mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装类型:TO-220FP
  功率耗散(PD):125W

特性

STP40N06FI MOSFET采用了先进的技术,确保在高负载条件下依然具有优异的性能表现。其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻:STP40N06FI的RDS(on)最大仅为40mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。在高电流应用中,这种低电阻特性尤为重要,可以显著减少发热。
  2. 高电流承载能力:该MOSFET的最大漏极电流为40A,适用于高功率密度的设计,如开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。
  3. 高耐压性能:60V的漏源电压额定值使其能够承受较高的电压应力,适用于多种中压功率应用。
  4. 热稳定性优异:STP40N06FI的封装设计具有良好的散热性能,能够在高功率工作条件下保持稳定运行,避免因过热导致的失效。
  5. 高可靠性:该器件符合工业级温度范围要求(-55℃至+175℃),能够在各种严苛环境中稳定工作。
  6. 易于驱动:MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与多种驱动电路配合使用,提升设计的灵活性。
  7. 封装形式:采用TO-220FP封装,便于安装和散热,适用于大多数功率电路设计。

应用

STP40N06FI广泛应用于多个领域的电力电子系统中,主要适用于以下几类应用场景:
  1. 开关电源(SMPS):在AC-DC和DC-DC转换器中,STP40N06FI作为主开关器件,能够提供高效的能量转换能力,适用于适配器、充电器、服务器电源等设备。
  2. 电机控制与驱动:该MOSFET适用于无刷直流电机(BLDC)控制、步进电机驱动器和电动车控制器等应用,能够有效驱动高电流负载。
  3. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理、电池保护电路中,STP40N06FI可用于高电流开关控制,确保电池系统的安全与高效运行。
  4. 负载开关与继电器替代:该器件可用于替代传统机械继电器,在自动控制系统中实现快速、无磨损的电子开关功能。
  5. 工业自动化设备:包括PLC控制模块、工业变频器、伺服驱动器等需要高可靠性和高效率功率开关的设备。
  6. 新能源系统:如太阳能逆变器、储能系统、电动工具等对功率开关性能有较高要求的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, STP40NF06, FDP40N06, FQP40N06

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