时间：2025/10/7 17:47:40
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UVY1H4R7MDD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应和其它瞬态过压脉冲。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有快速响应时间和低箝位电压特性，能够在极短时间内将瞬态能量泄放到地，从而保护后级电路的安全。UVY1H4R7MDD属于单向TVS二极管，其设计符合RoHS和无卤素要求，适用于现代绿色环保电子产品。
该器件封装在紧凑的SMC（DO-214AB）封装中，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化表面贴装工艺。其额定反向截止电压为470V，峰值脉冲功率可达1500W（按照8/20μs电流波形测试），能够承受高强度的瞬态冲击。UVY1H4R7MDD广泛应用于工业控制、电源系统、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域中的过压保护方案。由于其高可靠性和稳定性，该器件也被用于需要长期运行且维护困难的关键系统中作为主要的保护元件。
类型：单向TVS二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向截止电压（VRWM）：470 V
击穿电压（VBR）：最小522 V，最大577 V
测试电流（IR）：1 mA
最大反向漏电流（IR）：5 μA
钳位电压（VC）：761 V（在IPP = 1.97 A时）
峰值脉冲电流（IPP）：1.97 A（基于8/20μs波形）
峰值脉冲功率（PPPM）：1500 W
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-55°C 至 +175°C
UVY1H4R7MDD具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于高能量吸收能力和快速响应特性。当电路中出现瞬态过压事件时，该TVS二极管能在皮秒级时间内从高阻态迅速切换至低阻导通状态，将多余的瞬态能量通过自身泄放，有效限制电压上升幅度，防止下游元器件因过压而损坏。这种快速响应机制对于抵御静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）等高频瞬态干扰尤为重要。此外，其低动态电阻设计确保了在大电流冲击下的稳定钳位性能，避免电压骤升对系统造成二次伤害。
该器件的钳位电压仅为761V，在470V的工作电压系统中提供了充足的安全裕量，同时又能保证不会对正常工作信号产生干扰。与传统的过压保护器件相比，UVY1H4R7MDD具有更高的可靠性与更长的使用寿命，即使在多次承受标准规定的8/20μs或10/1000μs浪涌冲击后，仍能保持电气参数的稳定性。其采用的SMC封装不仅节省PCB空间，还具备优良的热传导性能，有助于在高能量脉冲下及时散热，提升整体系统的耐久性。
UVY1H4R7MDD符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于严苛环境下的应用场合，如车载电源系统、电机驱动器和工业自动化设备。器件的低漏电流特性（典型值仅1μA）使其在待机或低功耗模式下几乎不增加系统功耗，特别适合用于节能型设计。此外，其无铅、无卤素的环保设计满足现代电子产品对绿色制造的要求，支持全球范围内的合规性认证。综合来看，UVY1H4R7MDD是一款高性能、高可靠性的瞬态电压抑制解决方案，适用于多种高压、高可靠性应用场景。
UVY1H4R7MDD常用于各类需要高压瞬态保护的电子系统中。典型应用包括交流电源输入端的浪涌保护，例如开关电源、AC-DC转换器和不间断电源（UPS）等设备，在电网波动或雷击感应情况下提供关键防护。在工业控制系统中，它可用于PLC模块、继电器驱动电路和传感器接口的过压保护，防止因电感反冲或误接线导致的损坏。
在通信基础设施领域，该器件可部署于以太网供电（PoE）线路、电话线路和数据传输接口中，抑制来自外部环境的电磁干扰和瞬态脉冲。在消费类电子产品中，如电视、空调、洗衣机等家电的电源板上，UVY1H4R7MDD可用于主电源路径的二级保护，配合保险丝和压敏电阻构成多级保护架构，提升整机安全等级。
此外，该TVS二极管也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和风力发电控制器中的直流母线保护。在汽车电子方面，尽管其非专为车载主系统设计，但仍可用于辅助电源轨或外接设备的过压防护，尤其是在商用车或工业车辆的电气系统中表现出良好适应性。总之，凡是存在高压瞬态风险的应用场景，UVY1H4R7MDD都能提供高效可靠的保护作用。
SMC470A-TR
