容量：256Kbit（32K x 8）
　　组织结构：32K x 8
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：48-TSOP
　　封装尺寸：约8mm x 12mm
　　最大工作频率：约100MHz（取决于控制信号）
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　功耗：典型值为10mA（待机模式下小于10μA）

LH52B25610LL 是一款高性能的静态随机存储器（SRAM），其主要特点包括高速访问时间（最大为10ns），适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其能够适应多种电源设计，同时具备低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　该SRAM芯片支持CMOS电平输入和输出，与多种微控制器和嵌入式系统兼容。其高速频率可达100MHz，适用于需要高速缓存或临时数据存储的场合。LH52B25610LL 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，具备良好的稳定性和可靠性。

LH52B25610LL SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、手持设备、网络设备、通信模块、数据采集系统以及消费类电子产品中。由于其高速和低功耗特性，常用于缓存、临时数据存储、图形处理缓存以及需要快速访问的微控制器外设中。
　　例如，在工业自动化控制系统中，LH52B25610LL 可作为主控制器的外部高速缓存，提升数据处理效率；在通信设备中，可用于存储临时通信数据或缓冲帧数据；在便携式电子产品中，如手持终端、智能仪表等，其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。
　　此外，该芯片也适用于FPGA或CPLD的外部存储扩展，用于高速数据交换或配置存储，是许多嵌入式系统设计中的常用存储器选择。

LH52B25610ALL、LH52B25610CLL、IS62LV25610AL、CY62157EV30LL、AS7C25610A-SRBC