时间：2025/9/14 22:24:42
阅读：11
PSMN3R9-60PS 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制等高效率、高密度功率设计中。PSMN3R9-60PS 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优异的热性能和电气性能，适用于需要高可靠性和紧凑设计的场合。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：3.9mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：96W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：LFPAK56（也称为Power-SO8）
安装类型：表面贴装（SMD）
PSMN3R9-60PS 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用了 Nexperia 先进的 Trench 工艺技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其 RDS(on) 典型值为 3.9mΩ，最大值在 VGS=10V 下仍保持在 5.3mΩ 以下，确保在高电流条件下也能维持较低的功率损耗。
该器件的漏极电流额定值高达 180A，在高功率应用中表现出色，适用于需要高电流能力的电源转换系统。此外，PSMN3R9-60PS 的封装采用 LFPAK56 技术，具有优异的热传导性能，能够在高负载下有效散热，提高器件的稳定性和可靠性。
LFPAK56 封装还提供了较小的 PCB 占用面积，适合高密度电路设计。该封装结构具有较低的封装电阻和电感，进一步提升了器件的电气性能，使其在高频开关应用中表现更佳。
PSMN3R9-60PS 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的工作环境下稳定运行，适用于工业控制、电动工具、电池管理系统（BMS）以及汽车电子等应用领域。
PSMN3R9-60PS 主要应用于需要高效率、高电流和高可靠性的功率系统中。常见用途包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及电动车辆中的功率控制模块。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率密度电源设计中尤为适用。
PSMN4R2-60PS, PSMN5R8-60YS, PSMN2R8-60YS
