容量：8K x 8 位
　　电压：5V
　　访问时间：10 ns
　　封装：32-PDIP 或 32-SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　引脚数量：32
　　接口类型：并行
　　最大工作频率：100 MHz（根据访问时间推算）

LH5168D-10YL 是一款高性能 CMOS SRAM，具有以下主要特性：
　　首先，该芯片具有 8K x 8 位的存储容量，适用于中等规模的数据存储需求。其高速访问时间为 10 纳秒，使得该器件能够支持高达 100 MHz 的操作频率，满足高速系统的需求。
　　其次，该 SRAM 使用 5V 单电源供电，简化了电源管理设计，并确保了与标准 TTL 和 CMOS 逻辑电平的兼容性。此外，该芯片采用 CMOS 工艺制造，具有较低的静态功耗，适合对功耗敏感的应用。
　　在封装方面，LH5168D-10YL 提供 32-PDIP 和 32-SOIC 两种封装形式，便于在不同电路板设计中灵活使用。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境条件，确保在各种应用中的稳定运行。
　　该芯片的控制信号包括地址使能（AE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持异步读写操作，允许系统灵活控制数据的读取和写入过程。这种异步接口设计使得该器件可以方便地集成到多种系统架构中，而无需复杂的时序控制逻辑。

LH5168D-10YL 主要用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景，如嵌入式系统的缓存、数据缓冲器、工业控制设备、通信设备、测试仪器、消费类电子产品以及需要临时数据存储的计算机外设等。其高速和低功耗特性使其成为对性能和能效都有要求的应用中的理想选择。

[
　　 "LH5168D-10TL",
　　 "LH5168DC-10TL",
　　 "CY62148EVLL-45ZE3",
　　 "AS6C6264-55PCN-B"
　　]