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W29N02GVSIAF 发布时间 时间:2025/8/21 5:47:03 查看 阅读:18

W29N02GVSIAF 是 Winbond 公司推出的一款非易失性 NAND 闪存芯片,容量为 2 Gbit(256 MB),专为高密度数据存储应用设计。该芯片采用 1.8V 电源供电,支持高速数据读写操作,并内置纠错码(ECC)功能,以提高数据存储的可靠性。W29N02GVSIAF 采用 48 引脚 TSOP 封装,适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。

参数

容量:2 Gbit
  电压范围:1.8V
  封装类型:48-TSOP
  接口类型:SPI
  纠错码(ECC)支持:内置 4 位 ECC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取速度:最大 104 MHz
  写入速度:最大 104 MHz
  擦除时间:1.5ms(典型)
  编程时间:250μs(典型)

特性

W29N02GVSIAF 采用 SPI(串行外设接口)协议,使得其在与主控器通信时只需少量引脚,从而降低系统复杂度和成本。
  该芯片内置 4 位 ECC(纠错码)功能,能够自动检测和纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。
  支持多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止误写入或数据损坏。
  其低电压设计(1.8V)不仅降低了功耗,也提高了系统的能效,适合电池供电设备使用。
  该芯片具备较高的耐用性和数据保持能力,支持 10 万次以上的编程/擦除周期,并能保证数据保存 10 年以上。

应用

W29N02GVSIAF 主要应用于需要大容量非易失性存储的场景,如嵌入式系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、智能卡终端、医疗设备以及消费类电子产品(如数字相机、便携式音频设备等)。
  由于其低功耗和高可靠性,特别适合用于需要长期运行和数据记录的工业控制系统。
  此外,该芯片也常用于固件存储、数据缓存和小型文件系统的实现。

替代型号

W29N04GVIQIA

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W29N02GVSIAF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP