时间：2025/8/28 9:40:58
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LH5168-10L 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统以及电机驱动电路等场景。LH5168-10L 采用高性能硅工艺制造，具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于中低电压功率控制领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）：10 A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.22 Ω @ Vgs = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
LH5168-10L 具备多项优良特性，使其在多种功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。这在电池供电设备或高能效要求的电源系统中尤为重要。
其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 10 A，能够承受较大的负载电流，适用于中高功率应用。漏源电压最大可达 60 V，允许其在多种电压等级下稳定运行，包括 12V、24V 和 48V 系统。
此外，LH5168-10L 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该封装形式也便于贴片安装，适用于自动化生产流程。
器件还具备良好的抗静电（ESD）能力和过热保护特性，增强了其在复杂电磁环境中的可靠性和耐用性。同时，其 ±20 V 的栅源电压耐受能力使其兼容多种驱动电路设计，包括常用的 12V 和 15V 栅极驱动电源。
综上所述，LH5168-10L 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，成为多种功率控制应用的理想选择。
LH5168-10L 主要应用于以下领域：
1. **DC-DC 转换器**：用于升压（Boost）或降压（Buck）转换电路中，作为开关元件，实现高效能电压转换。
2. **负载开关**：用于控制电源分配，例如在笔记本电脑、服务器和工业控制系统中作为电源开关使用。
3. **电机驱动电路**：适用于小型电机控制，如风扇、泵和机器人系统中的驱动模块。
4. **电池管理系统**：用于电池充放电控制和保护电路中，确保电池组的安全运行。
5. **LED 照明驱动**：在 LED 照明系统中作为开关元件，实现高效率的恒流驱动。
6. **工业自动化设备**：如 PLC 控制模块、继电器替代方案等，提升系统响应速度与可靠性。
Si4410BDY, FDS4410A, IRFZ44N
