H9TQ64A8GTCCUR-KUM 是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动LPDDR4系列。这款存储器芯片专为低功耗和高性能应用设计,适用于现代便携式设备如智能手机、平板电脑以及其他需要高效能存储解决方案的电子产品。H9TQ64A8GTCCUR-KUM 具有64GB的存储容量,采用BGA(球栅阵列)封装形式,确保了稳定性和高密度集成。
容量:64Gbit
类型:LPDDR4 SDRAM
封装类型:BGA
工作电压:1.1V
数据速率:3200Mbps
组织结构:x64
工作温度范围:-40°C至85°C
H9TQ64A8GTCCUR-KUM 是一款高性能低功耗DRAM芯片,具有3200Mbps的数据传输速率,能够在低电压(1.1V)下稳定运行,有效降低设备功耗,延长电池续航时间。该芯片采用先进的DRAM技术,具备出色的稳定性和可靠性,在高负载应用场景中也能保持持续的高性能输出。其紧凑的BGA封装设计不仅节省空间,还提升了信号传输的稳定性,适用于高密度PCB布局。此外,该芯片支持宽温度范围(-40°C至85°C),适应各种复杂的工作环境,包括高温和低温条件。H9TQ64A8GTCCUR-KUM 还具备良好的兼容性,能够与多种移动平台和应用处理器无缝配合,为设备提供高效、稳定的内存解决方案。
在数据完整性方面,该芯片采用了先进的错误检测和校正机制,确保数据传输的可靠性。同时,其优化的内部架构设计有助于降低延迟,提高系统响应速度。这些特性使H9TQ64A8GTCCUR-KUM 成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。
H9TQ64A8GTCCUR-KUM 主要用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及便携式游戏设备等消费类电子产品。它也适用于需要高性能内存的嵌入式系统、工业自动化设备和汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)。此外,该芯片还可用于网络设备、边缘计算设备和AI加速模块等对存储性能要求较高的应用领域。
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