时间：2025/7/9 15:57:02
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FDS6675A-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
该器件主要设计用于在高频条件下提供高效能表现，并通过优化的工艺技术降低了功率损耗。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：12nC（典型值）
总电容：350pF（输入电容，典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SO-8
FDS6675A-NL 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，从而提高系统效率；具备快速开关能力，可以有效降低开关损耗；具有较低的栅极电荷，可减少驱动功耗；同时采用了 SO-8 封装，这种封装形式不仅能够提供良好的散热性能，还能确保较小的占板面积。
此外，该器件还拥有较高的雪崩击穿能量，提升了在异常情况下的可靠性。其坚固的设计和出色的热稳定性使得它非常适合于高温环境下的应用。为了进一步优化性能，FDS6675A-NL 还提供了精确的阈值电压控制，从而保证了稳定的工作状态。
FDS6675A-NL 广泛应用于多种领域，包括但不限于笔记本电脑适配器和充电器中的同步整流电路；消费类电子产品的负载开关功能实现；电信和网络设备中的 DC-DC 转换模块；工业自动化中的小型电机驱动控制；LED 照明系统的恒流控制以及便携式设备中的电池保护电路等。
由于其低导通电阻和高效率，这款 MOSFET 在需要频繁开关操作且对能耗敏感的应用中表现尤为突出。
FDS6675B-NL, FDP5800, IRF7403
