KF10N65F 时间：2025/9/12 10:03:56 阅读：44

KF10N65F是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由KORVET半导体制造。该器件适用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性。KF10N65F采用TO-220封装，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和各类电力电子系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.65Ω
　　最大功耗(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KF10N65F具备多项优异的电气特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率。该器件具有较高的击穿电压能力（650V），适用于中高压应用环境。此外，KF10N65F的TO-220封装设计有助于散热，提高器件在高功率工作状态下的稳定性。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高温环境下保持性能稳定，适用于如开关电源、马达驱动、逆变器和照明镇流器等应用。KF10N65F还具备快速开关能力，适用于高频操作，有助于减小外围电路的体积并提升整体效率。
　　此外，KF10N65F的栅极驱动要求较低，适用于标准逻辑电平控制，降低了驱动电路的复杂性。该器件内置的体二极管也适用于需要反向能量回馈的应用，如马达控制和DC-DC变换器。

应用

KF10N65F广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-AC逆变器、LED照明驱动电路、电池管理系统以及工业自动化控制设备。其高电压能力和良好的导通特性使其在中高压功率转换系统中表现优异。此外，该器件也可用于家电控制、电焊设备和不间断电源（UPS）等对功率控制要求较高的场合。