SM830C 时间：2025/8/13 14:39:54 阅读：27

SM830C 是一款由 Sanken（三研）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：10V
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SM830C 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在VGS为10V时仅为5.2mΩ，显著降低了在高电流条件下的功率损耗。此外，该器件采用TO-263（D2PAK）封装，具备良好的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET支持高达120A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其高电流能力结合低RDS(on)，使其成为高性能电源转换应用的理想选择。此外，SM830C 具有宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适用于严苛的工业和汽车环境。
　　SM830C 还具备优异的开关性能，能够实现快速的开启和关闭，从而减少开关损耗并提高整体效率。这使其在高频开关电源（如DC-DC转换器）中表现尤为出色。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。

应用

SM830C 主要应用于需要高效能功率管理的场合，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高功率密度电源设计，如服务器电源、电信设备电源以及电动汽车（EV）充电系统。
　　在汽车应用中，SM830C 可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电机控制器，其高可靠性和宽温度范围确保在极端环境下的稳定运行。此外，该MOSFET也常用于工业电机控制和电源管理模块，提供高效、稳定的功率控制解决方案。